温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

UCC23313BQDWYRQ1

单通道隔离式栅极驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313-Q1 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC23313BQDWYRQ1
商品编号: C2862911
商品封装: SOIC-6-4.7mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.34克(g)

商品参数

商品概述

UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313-Q1 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

商品特性

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
具有光兼容输入的 3.75kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
可输出 4.5A 峰值拉电流、5.3A 峰值灌电流
最高 33V 输出驱动器电源电压
8V (B) 或 12V VCC UVLO 选项
轨到轨输出
105ns（最大值）传播延迟
25ns（最大值）器件对器件延迟匹配
35ns（最大值）脉宽失真度
150kV/μs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)
隔离栅寿命大于 50 年
输入级具有 13V 反极性电压处理能力，支持互锁
扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm
运行结温 T_J: -40°C 至 +150°C
提供功能安全可帮助进行功能安全系统设计的文档
安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 6000V PK 基础型隔离（进展中）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3.75kVRMS 隔离

应用领域

适用于电动汽车的牵引逆变器
车载充电器和直流充电站
HVAC
加热器
工业电机控制驱动

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	3750
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	拉电流(IOH)	4.5A
	灌电流(IOL)	5.3A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)

	属性	参数值
	上升时间(tr)	28ns
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	105ns
	传播延迟 tpHL	105ns
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	驱动侧工作电压	10V~33V