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CSD95379Q3MT

同步降压NexFET功率级

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描述: CSD95379Q3M 同步降压 NexFE 功率级，CSD95379Q3M
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD95379Q3MT
商品编号: C2863273
商品封装: VSON-10-EP(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.18克(g)

商品参数

	属性	参数值
	输入低电平(VIL)	600mV
	静态电流(Iq)	1uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护

商品概述

CSD95379Q3M NexFET™ 功率级的设计经过高度优化，适用于高功率、高密度同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows® 8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130μA，并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。这个组合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

商品特性

12A 电流下的系统效率达 92.5%
12A 电流时 1.8W 的超低功率损耗
最大额定持续电流为 20A，峰值电流为 45A
高频运行（高达 2MHz）
高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线封装(SON) 尺寸
超低电感封装
系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
低静态 (LQ) 和超低静态 (ULQ) 电流模式
与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
三态 PWM 输入
集成型自举二极管
击穿保护
符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
无卤素

应用领域

NVDC 笔记本电脑/超极本 PC
平板电脑
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.65V