LM5112SDX/NOPB
MOSFET 栅极驱动器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5112SDX/NOPB
- 商品编号
- C2863568
- 商品封装
- WSON-6(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122917克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 7A | |
| 拉电流(IOH) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.5V~14V | |
| 上升时间(tr) | 14ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
LM5112 MOSFET栅极驱动器可在小型6引脚WSON封装(等效SOT-23焊盘)或8引脚裸露焊盘MSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流,满足高频工作所需的更高散热要求。复合输出驱动级包含并联工作的MOS和双极型晶体管,总共可从容性负载吸收超过7 A的峰值电流。结合MOS和双极型器件的独特特性,可降低驱动电流随电压和温度的变化。器件提供欠压锁定保护,可防止因栅极导通电压不足损坏MOSFET。LM5112同时提供反相和同相输入,单个器件类型即可满足反相和同相栅极驱动的需求。
商品特性
- LM5112-Q1符合汽车应用资格,满足AEC-Q100 Grade 1认证,采用汽车级流程生产
- 复合CMOS和双极输出可降低输出电流变化
- 提供7 A灌电流和3 A源电流
- 传播延迟快,典型值为25 ns
- 上升和下降时间快,为14 ns或12 ns
- 可在2 nF负载下完成上升或下降动作
- 反相和同相输入可让单个器件实现任意驱动配置
- 具备电源轨欠压锁定保护
- 专用输入接地(IN_REF)支持分离电源或单电源工作
- 提供功率增强型6引脚WSON封装(3 mm × 3 mm)或散热增强型MSOP-PowerPAD封装
- 输出摆幅范围为VCC至VEE,VEE相对于输入接地为负电压
应用领域
- DC-DC开关电源
- AC-DC开关电源
- 太阳能微型逆变器
- 螺线管和电机驱动


