商品概述

TPS1120集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET，通过Texas Instruments LinBiCMOST™工艺优化，适用于电池供电系统中的3 V或5 V配电。该器件最大VGS(th)为-1.5 V，IDSS仅为0.5 μA，是低电压便携式电池管理系统的理想高边开关，这类系统中最大化电池寿命是主要考虑因素。由于便携式设备可能受到静电放电(ESD)影响，该MOSFET内置了2 kV ESD保护电路。TPS1120的终端应用包括笔记本电脑、个人数字助理(PDAs)、移动电话、条形码扫描仪和PCMCIA卡。对于现有设计，TPS1120D与小外形集成电路SOIC封装中的其他p沟道MOSFET引脚排列通用。TPS1120的工作结温范围为-40 ℃ 至 150 ℃。D封装可提供卷带包装，可在器件型号后添加后缀R（例如TPS1120DR），裸片形式在25 ℃下测试。该器件包含保护输入输出免受高静电电压或静电场损坏的电路，根据MIL-STD-883C方法3015，电路可耐受最高2 kV的静电放电(ESD)，建议避免向这些高阻抗电路施加超过最大额定电压的电压。LinBiCMS是Texas Instruments Incorporated的商标。对于所有应用，器件每个漏极引脚都应连接。TPS1120Y裸片正确组装后，显示出与TPS1120C相似的特性，可对掺杂铝焊盘使用热压焊或超声键合，可使用导电环氧或金硅预成型片安装裸片。

商品特性

低rDS(on)，VGS = -10 V时为0.18 Ω
兼容3 V
不需要外部VCC
输入兼容TTL和CMOS
可提供最高2 kV的ESD保护（符合MIL-STD-883C方法3015）

应用领域

电池供电系统配电
低压便携式电池管理系统
笔记本电脑
个人数字助理（PDA）
移动电话
条形码扫描仪
PCMCIA卡

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	1.17A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	840mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	5.45nC@10V
	工作温度	-40℃~+150℃

TPS1120D

商品参数

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应用领域