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CSD16415Q5T
超低栅极电荷和极低接通电阻功率MOSFET
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- 描述
- CSD16415Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16415Q5T
- 商品编号
- C2861415
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.99mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |