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CSD25501F3T
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- CSD25501F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25501F3T
- 商品编号
- C2861517
- 商品封装
- LGA-3(0.6x0.7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.02nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品概述
这款 -8V、8.2mΩ、1.5mm×1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
商品特性
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm×1.5mm
- 无铅
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
应用领域
- 电池管理
- 电池保护
- 负载开关应用