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CSD25501F3T

1个P沟道耐压:20V 电流:3.6A

描述: CSD25501F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD25501F3T
商品编号: C2861517
商品封装: LGA-3(0.6x0.7)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.057克(g)

商品参数

商品概述

此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (Rc) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

商品特性

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
超小尺寸
0.7mm×0.6mm
薄型
最大高度为 0.22mm
集成型 ESD 保护二极管
无铅且无卤素
符合 RoHS

应用领域

针对负载开关应用进行了优化
电池应用
手持式和移动类应用

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(1个/圆盘，最小起订量 100 个)

个

起订量：100 个1个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	3.6A
	导通电阻(RDS(on))	120mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	750mV@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.02nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	295pF
	反向传输电容(Crss)	4.1pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	91pF