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CSD25202W15
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- CSD25202W15 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25202W15
- 商品编号
- C2859947
- 商品封装
- DSBGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款 8.8 mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1 mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62 mm）
- 无铅，符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护