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TPS1100PWR

1个P沟道耐压:15V 电流:1.27A

描述: TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1100PWR
商品编号: C2860650
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.135克(g)

商品参数

商品概述

TPS1100是一款单P沟道增强型MOSFET。该器件通过LinBiCMOS工艺,针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。其最大VGS(th)为 -1.5V,IDSS仅为0.5μA,是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关,此类系统主要关注的是延长电池使用寿命。低rDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为10ns),使TPS1100成为低压开关应用的合理选择,例如脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥式驱动器的电源开关。

超薄缩小外形封装(TSSOP (PW))版本的占位面积更小且高度降低,适用于其他P沟道MOSFET无法安装的地方。在电路板空间有限且高度受限,无法使用小外形集成电路(SOIC)封装的情况下,这种尺寸优势尤为重要。

此类应用包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、手机和PCMCIA卡。对于现有设计,D封装版本的引脚排列与SOIC封装的其他P沟道MOSFET相同。

商品特性

低rDS(on) ... 在VGS = -10V时典型值为0.18Ω
兼容3V
无需外部VCC
输入兼容TTL和CMOS
最大VGS(th) = -1.5V
提供超薄TSSOP封装(PW)
静电放电(ESD)保护高达2kV(符合MIL - STD - 883C方法3015)

应用领域

-笔记本电脑-个人数字助理(PDA)-手机-PCMCIA卡

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	1.27A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	504mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	5.45nC@10V
	工作温度	-40℃~+125℃
	类型	P沟道