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TPS1101DR
1个P沟道 耐压:15V 电流:2.3A
- 描述
- TPS1101 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS1101DR
- 商品编号
- C2861045
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 791mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.25nC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
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