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TPS1101DR

1个P沟道耐压:15V 电流:2.3A

描述: TPS1101 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1101DR
商品编号: C2861045
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

TPS1101是一款单通道、低导通电阻rDS(on)、P沟道增强型MOSFET。该器件通过LinBiCMOSTM工艺,针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。TPS1101的最大栅源阈值电压VGS(th)为 -1.5V,漏源截止电流IDSS仅为0.5μA,是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关,此类系统首要关注的是延长电池使用寿命。TPS1101的低导通电阻rDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为5.5ns),使其成为低压开关应用的合理选择,如脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥接驱动器的电源开关。超薄薄型收缩小外形封装(TSSOP (PW))版本适用于对高度有严格限制的场合,而其他P沟道MOSFET无法满足此类要求。在电路板高度受限,无法使用小外形集成电路(SOIC)封装的情况下,尺寸优势尤为重要。

商品特性

低导通电阻rDS(on):VGS = -10V时典型值为0.09Ω
3V兼容
无需外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
最大栅源阈值电压VGS(th) = -1.5V
提供超薄TSSOP封装(PW)
静电放电(ESD)保护能力高达2kV(符合MIL - STD - 883C方法3015标准)

应用领域

笔记本电脑
个人数字助理(PDA)
移动电话
PCMCIA卡

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	2.3A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	791mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	11.25nC@10V
	工作温度	-40℃~+150℃
	类型	P沟道