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TPS1101DR
1个P沟道 耐压:15V 电流:2.3A
- 描述
- TPS1101 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS1101DR
- 商品编号
- C2861045
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 791mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.25nC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻rDS(on):VGS = -10V时典型值为0.09Ω
- 3V兼容
- 无需外部VCC
- TTL和CMOS兼容输入
- 最大栅源阈值电压VGS(th) = -1.5V
- 提供超薄TSSOP封装(PW)
- 静电放电(ESD)保护能力高达2kV(符合MIL - STD - 883C方法3015标准)
应用领域
- 笔记本电脑
- 个人数字助理(PDA)
- 移动电话
- PCMCIA卡