温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18509Q5BT
N沟道 40V 100A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18509Q5BT
- 商品编号
- C2860055
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 354pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
商品概述
CSD18509Q5BN是一款通道NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，本款40 V、1 mΩ、SON5x6规格的NexFET™功率MOSFET，设计旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 直流-直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制