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CSD18509Q5BT
N沟道 40V 100A
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- 描述
- CSD18509Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18509Q5BT
- 商品编号
- C2860055
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 354pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
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