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CSD25304W1015
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- CSD25304W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25304W1015
- 商品编号
- C2860532
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@4.5V,1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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