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CSD25304W1015
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- CSD25304W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25304W1015
- 商品编号
- C2860532
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- ISO7810DWR
- SN74AUP2G14DSF2
- SN74LVC1G00MDCKREP
- SN74LVC1G02DRYR
- TLV3492AID
- SN65HVD1477DR
- SN74AHC32NSR
- SN74AUP1G08DRY2
- CSD97370AQ5M
- CY74FCT240TQCT
- LP3990TL-2.8/NOPB
- SN74AVC16374DGVR
- SN74LVC1G08DSFR
- TMS320F28054MPNQ
- TPS79601DRBT
- LM2679T-ADJ/NOPB
- LM6134AIM/NOPB
- LP38693QSD-1.8/NOPB
- LP3875EMP-5.0/NOPB
- SN74LVC1G58DRY2
- CD74HC27M96