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CSD19536KTTT
100V,2mΩ N沟道MOSFET
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- 描述
- CSD19536KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19536KTTT
- 商品编号
- C2860358
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 272A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.37nF |
商品概述
这款100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- -100V/-80A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 24 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统
- DC-DC转换器
- P沟道MOSFET