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CSD17312Q5
30V N沟道功率MOSFET，优化用于5V栅极驱动，超低Qg和Qgd，低热阻，雪崩额定，无铅端子电镀，符合RoHS标准，无卤，采用SON 5mmx6mm塑料封装
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- 描述
- CSD17312Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17312Q5
- 商品编号
- C2860510
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.22nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |