温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD83325LT
2个N沟道 耐压:12V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD83325L 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD83325LT
- 商品编号
- C2859735
- 商品封装
- BGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 243pF |
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单