- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD87333Q3DT
CSD87333Q3DT
- 描述
- CSD87333Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87333Q3DT
- 商品编号
- C2859739
- 商品封装
- VSON-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.9mΩ@8V；11.9mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV；950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC；3.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 509pF；509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF；8.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 222pF；222pF |