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CSD15380F3T
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
- 描述
- CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD15380F3T
- 商品编号
- C2859915
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.19Ω@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 281pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该20V、990mΩ N沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 超低Ciss和Coss
- 超低Qg和Qgd
- 超小尺寸，尺寸为0.73mm × 0.64mm
- 超薄型封装，最大厚度为0.36mm
- 集成ESD保护二极管，额定值>4kV HBM；额定值>2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS
应用领域
- 负载开关应用
- 通用开关应用
- 电池应用
- 手持式和移动类应用
- 数据线应用