- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD19506KTTT
1个N沟道 耐压:80V 电流:200A
- 描述
- CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19506KTTT
- 商品编号
- C2859723
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款 80 V、2.0 mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS
- 无卤素
- D²PAK塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制