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STP11N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
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- 描述
- N沟道650 V、0.43 Ohm典型值、9 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP11N65M5
- 商品编号
- C2688583
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 644pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- 40V、120A，栅源电压为10V时，漏源导通电阻最大值为2.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 提供环保型器件
应用领域
-电机驱动器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器