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STF40NF20
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- 采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作先进高效隔离式DC - DC转换器中的初级开关。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF40NF20
- 商品编号
- C2688607
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
商品特性
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
- 优异的品质因数（RDS*Qg）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用