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STF11N65M2(045Y)
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP窄引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF11N65M2(045Y)
- 商品编号
- C2688615
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
SuperMESH系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列在最严苛的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线，其中包括具有革新性的MDmesh产品。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用