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STB55NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用了独特的“单特征尺寸”条形工艺。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性以及不太关键的对准步骤，因此具有出色的制造再现性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB55NF06LT4
- 商品编号
- C2688639
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用
- D²PAK
- I²PAK
- TO - 220