STB26NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB26NM60N商品编号
C2688646商品封装
TO-263-3(D2PAK)包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 165mΩ@10A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@50V |
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