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STB26NM60N
N沟道,电流:20A,耐压:600V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB26NM60N
- 商品编号
- C2688646
- 商品封装
- TO-263-3(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用