PD57018TR-E
PD57018TR-E
- 描述
- 18W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD57018TR-E
- 商品编号
- C2688663
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 760mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 34.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。它在共源极模式下以28 V电压工作,频率可达1 GHz。该器件采用意法半导体(ST)最新的LDMOS技术,安装在首款真正的表面贴装(SMD)塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中,具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO - 10塑料封装专为实现高可靠性而设计,是首款获得JEDEC认证的意法半导体高功率表面贴装封装,针对射频需求进行了特别优化,具备出色的射频性能且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在945 MHz/28 V条件下,输出功率(POUT)为18 W,增益为16.5 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 负载开关
- SPMS