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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJD112T4

互补硅功率达林顿晶体管

商品型号
MJD112T4
商品编号
C2688665
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录达林顿管
类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)1000
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
集电极电流(Ic)2A
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)20uA
集射极饱和电压(VCE(sat))3V

商品概述

这些器件采用具有“基极岛”布局的平面工艺制造,并采用单片达林顿结构。

商品特性

  • 良好的hFE线性度
  • 高fT频率
  • 集成反并联集电极 - 发射极二极管的单片达林顿结构

应用领域

  • 线性和开关工业设备

数据手册PDF