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MJD112T4

互补硅功率达林顿晶体管

品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
MJD112T4
商品编号
C2688665
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录达林顿管
类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)1000
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
集电极电流(Ic)2A
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)20uA
集射极饱和电压(VCE(sat))3V

数据手册PDF

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