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MJD117T4
互补硅功率达林顿晶体管
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- 描述
- 采用“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD117T4
- 商品编号
- C2688713
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.471克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。
商品特性
- 良好的hFE线性度
- 高fT频率
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管的单片达林顿结构
应用领域
- 线性和开关工业设备