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STP40NF10L
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 该功率MOSFET系列采用独特的STripFET工艺设计，旨在最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP40NF10L
- 商品编号
- C2688719
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用STripFET F3技术开发的N沟道功率MOSFET。它旨在最大限度地降低导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平VGS(th)
- 最高结温175 °C
- 100%雪崩测试
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用
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