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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件为N沟道FDmeshTM II功率MOSFET,属于MDmeshTM技术的第二代产品。这款创新的功率MOSFET将全新的垂直结构与该公司的条形布局相结合,不仅具备导通电阻低、开关速度快的优势,还集成了本征快速恢复体二极管。因此,它非常适用于桥式拓扑结构,特别是零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制
- 在快速恢复二极管器件中,具备全球最佳的 \mathsfRDS(on)^* 面积
- 经过100%雪崩测试
- 输入电容和栅极电荷低
- 栅极输入电阻低
- 具备极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用