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STB20NM50T4
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB20NM50T4
- 商品编号
- C2688652
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
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