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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STB4NK60Z-1

N沟道,电流:4A,耐压:600V

品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STB4NK60Z-1
商品编号
C2688640
商品封装
I2PAK​
包装方式
管装
商品毛重
2.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)70W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@50uA
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)510pF@25V
反向传输电容(Crss)13pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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