温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB33N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:24A
- 描述
- N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB33N60DM2
- 商品编号
- C2688645
- 商品封装
- TO-263-3(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM2快速恢复二极管系列。它们具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）也很低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和ZVS移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐量
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用