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STB36N60M6
N沟道,电流:30A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB36N60M6
- 商品编号
- C2688642
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，适用于对效率要求极高的转换器。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,降低导通电阻RDS(on)与面积的乘积
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
-开关应用