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STB9NK50ZT4
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.2A
- 描述
- SuperMESH™ 系列是通过对成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而获得的。除了显著降低导通电阻外，还特别注意确保在最苛刻的应用中具有出色的 dv/dt 能力。该系列补充了包括革命性 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB9NK50ZT4
- 商品编号
- C2688638
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：58 nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON)：0.40 Ω（典型值）@VGS = 10V
- 100%雪崩测试