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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STD9NM60N

1个N沟道 耐压:600V 电流:6.5A

品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STD9NM60N
商品编号
C2688616
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))745mΩ@10V
耗散功率(Pd)70W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)17.4nC@10V
输入电容(Ciss)452pF@50V
反向传输电容(Crss)1.45pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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