STD12N50DM2
N通道,电流:11A,耐压:500V
- 描述
- N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N50DM2
- 商品编号
- C2688633
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 628pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷和恢复时间(Qrr、trr),同时导通电阻 RDS(on) 也很低,适用于对效率要求极高的转换器,是桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用