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STD11NM65N
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- 该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有革新性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了全球最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD11NM65N
- 商品编号
- C2688634
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 455mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷Qrr和恢复时间trr，同时导通电阻RDS(on)也很低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和 ZVS 移相转换器的理想选择。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用