温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD12N60M2
N沟道,电流:9A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N60M2
- 商品编号
- C2688631
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 538pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用