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STF16N60M2
N通道,电流:12A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF16N60M2
- 商品编号
- C2688612
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 低阈值驱动
- 最小化栅极电荷
应用领域
- 开关应用