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STF12N65M5
N沟道,电流:8.5A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.39 Ohm典型值、8.5 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF12N65M5
- 商品编号
- C2688614
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 仅受允许的最高温度限制。
- 全球最佳的RDS(on) * 面积
- 更高的VDSS额定值和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用