- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL26N60DM6
N沟道,电流:15A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL26N60DM6
- 商品编号
- C2688592
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比,DM6结合了极低的恢复电荷 (Qrr) 、恢复时间 (trr) ,每单位面积的RDS(ON)有显著改善,并且具备市场上针对最严苛的高效桥拓扑和ZVS移相转换器最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用