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STGF10NB60SD
16 A、600 V，带软快速恢复二极管的低压降 IGBT
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- 描述
- 这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用先进的Power MESH™工艺，在低频工作条件（高达1 kHz）下具有极低的导通压降。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGF10NB60SD
- 商品编号
- C2688601
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 23A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 55A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 700ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 1.2us | |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 37ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |