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STFU28N65M2
N沟道,电流:20A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFU28N65M2
- 商品编号
- C2688603
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。凭借其条形布局和改进的垂直结构，该器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 优异的输出电容(Coss)特性曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用