STL22N60M6
N沟道,电流:10A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、220 mOhm典型值、10 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL22N60M6
- 商品编号
- C2688594
- 商品封装
- PowerFlat-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52.6pF |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积的RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器