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STL13N60M6
N沟道,电流:7A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、330 mOhm典型值、7 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL13N60M6
- 商品编号
- C2688598
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 415mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34.4pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器