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STL22N65M5
N沟道,电流:15A,耐压:710V
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- 描述
- N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL22N65M5
- 商品编号
- C2688593
- 商品封装
- PowerFLAT-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.434nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™ H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FoM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
~~- 通过AEC-Q101认证-低导通电阻-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗-可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用