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STL42P6LLF6
1个P沟道 耐压:60V 电流:42A
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- 描述
- P沟道60 V、0.023 Ohm典型值、42 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL42P6LLF6
- 商品编号
- C2688589
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 262pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用