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STL31N65M5
N沟道,电流:15A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.135 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL31N65M5
- 商品编号
- C2688591
- 商品封装
- PowerFLAT-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 162mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.865nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh上一代器件的基础上进行改进。该技术不仅显著提升了单位面积的RDS(on)性能，还具备出色的开关特性，为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 该值根据Rthj - case进行额定,并受封装限制。
- 全球最佳的RDS(on) * 面积
- 更高的VDSS额定值和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
应用领域
- 开关应用