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STL60P4LLF6
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL60P4LLF6
- 商品编号
- C2688588
- 商品封装
- PowerFlat-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 238pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用意法半导体成熟的基于条形布局的网状覆盖工艺设计。其产品性能与其他制造商的同类标准产品相当或更优。
商品特性
-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用