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STP20N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- N沟道650 V、0.160 Ohm典型值、18 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP20N65M5
- 商品编号
- C2688572
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.434nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，该技术与知名的PowerMESH横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积
- 更高的漏源击穿电压（VDSS）额定值和高电压变化率（dv/dt）能力
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用