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STP18N55M5
N通道,电流:16A,耐压:550V
- 描述
- N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh(TM) V功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP18N55M5
- 商品编号
- C2688573
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 192mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这些器件采用第二代MDmesh技术制造。这款革命性的功率MOSFET将新型垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用