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STP12NM50
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 描述
- 这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有的条形技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP12NM50
- 商品编号
- C2688579
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
SuperFREDMesh™ 系列将低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的 dv/dt 承受能力等优势与快速体-漏极恢复二极管相结合。该系列完善了 “FDmesh™” 先进技术。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 承受能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 出色的生产重复性
- 增强的静电放电 (ESD) 承受能力
应用领域
- 开关应用